深圳市英特法电子科技有限公司
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深圳市英特法电子科技有限公司代理IR:IRFP4668PBF

    深圳市英特法电子科技有限公司代理IR:IRFP4668PBF。数据列表IRFP4668PBF
    产品培训模块High VOLTAGE Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
    设计资源IRFP4668PBF Saber Model
    IRFP4668PBF Spice Model
    PCN 组件/产地MOSFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
    PCN 封装PACKAGE Drawing Update 19/Aug/2015
    标准包装 25类别分立半导体产品家庭FET - 单系列HEXFET®包装 管件FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能标准漏源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)130A(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)9.7 毫欧 @ 81A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)241nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)10720pF @ 50V功率 - 最大值520W工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商器件封装TO-247AC产品目录页面1519 (CN2011-ZH PDF) 联系电话:0755-83208771 手机:13410252328 欧阳先生。


[发布时间:2016/3/8 10:44:00]

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