深圳市英特法电子科技有限公司
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深圳市英特法电子科技有限公司代理IR:IRFB4227PBF

    深圳市英特法电子科技有限公司代理IR:IRFB4227PBF.html" target="_blank" title="IRFB4227PBF">IRFB4227PBF。数据列表IRFB4227PbF
    产品相片TO-220AB PKG
    产品培训模块High VOLTAGE Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
    设计资源IRFB4227PBF Saber Model
    IRFB4227PBF Spice Model
    PCN 组件/产地Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
    PCN 封装Package Drawing Update 19/Aug/2015
    标准包装 50类别分立半导体产品家庭FET - 单系列HEXFET®包装 管件FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能标准漏源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)65A(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)24 毫欧 @ 46A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)98nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)4600pF @ 25V功率 - 最大值330W工作温度-40°C ~ 175°C(TJ)安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商器件封装TO-220AB 联系方式:0755-8328771 手机:13410252328 QQ:2298601314/1653386404欧阳R


[发布时间:2016/2/25 10:23:00]

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